無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統光刻中掩膜制備的高昂成本與時間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 ?m）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實驗室快速原型開發。閉環自動對焦系統（1秒完成）和半自動多層對準功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和**公司提供了利用其功能的機會。多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬，微流控芯片集成電極與通道一步成型。安徽德國BEAM光刻機可以自動聚焦波長

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構合作，推動光子集成與半導體封裝技術發展。例如，Quantum X align系統的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產業鏈整合的優勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和**公司提供了利用其功能的機會。黑龍江BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模柔性電子：曲面 OLED 驅動電路漏電降 70%，彎曲半徑達 1mm，適配可穿戴設備。

Polos-BESM在電子器件原型開發中展現高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。

在微流體領域，Polos系列光刻機通過無掩模技術實現了復雜3D流道結構的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設計策略10。Polos設備的精度與靈活性可支持此類仿生結構的批量生產，推動**診斷芯片的研發。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。技術Benchmark：Polos-?Printer 入選《半導體技術》年度創新產品，推動無掩模光刻技術普及。

德國 Polos 光刻機系列是電子學領域不可或缺的精密設備。其無掩模激光光刻技術，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠實現超高精度的圖案繪制。在芯片研發過程中，Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結構，為芯片性能提升奠定基礎。? 科研團隊使用 Polos 光刻機，成功開發出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運算速度。而且，該光刻機可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設計需求。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發，Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優勢，為電子學領域的科研成果產出提供有力保障，推動電子技術不斷創新。Polos-BESM XL：加大加工幅面，滿足中尺寸器件一次性成型需求。安徽德國BEAM光刻機可以自動聚焦波長

POLOS ?：超緊湊設計，納米級精度專攻微流控與細胞芯片。安徽德國BEAM光刻機可以自動聚焦波長

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區域達155×155 mm，平臺雙向重復性精度0.1 ?m，滿足工業級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復雜圖案設計流程，內置高性能筆記本電腦實現快速數據處理，成為微機電系統（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。安徽德國BEAM光刻機可以自動聚焦波長